宇瞻工控強(qiáng)攻DDR4寬溫內(nèi)存市場(chǎng)
全球工控內(nèi)存領(lǐng)導(dǎo)品牌宇瞻科技積極拓展工規(guī)內(nèi)存產(chǎn)品線,并在策略伙伴三星電子(SAMSUNG ELECTRONICS CO.,Ltd )全力支持下,推出首款搭載三星原廠工規(guī)等級(jí)顆粒的DDR4寬溫系列內(nèi)存,專為長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)轉(zhuǎn)于極端溫度下之工業(yè)用設(shè)備提供強(qiáng)固型完整解決方案。結(jié)合Underfill加值技術(shù),以及工規(guī)等級(jí)寬溫零組件,宇瞻DDR4寬溫系列內(nèi)存具備耐溫與高可靠性之特色,并整合抗震、抗熱沖擊(Thermal Shock)能力,擴(kuò)大寬溫內(nèi)存產(chǎn)品應(yīng)用的范圍,滿足嚴(yán)苛環(huán)境的工控產(chǎn)品需求。
全工規(guī)等級(jí)零組件 高低溫環(huán)境下穩(wěn)定性再進(jìn)擊
為了在嚴(yán)峻惡劣環(huán)境中仍能維持高效穩(wěn)定的運(yùn)作性能,DDR4寬溫系列內(nèi)存不僅采用三星原廠工規(guī)等級(jí)寬溫顆粒,被動(dòng)組件部份亦提升為全工規(guī)等級(jí)。寬溫系列內(nèi)存采用工規(guī)等級(jí)電容及電阻,最大耐溫能力高達(dá)125℃的電容可使電壓供應(yīng)在高溫環(huán)境下更穩(wěn)定;工規(guī)等級(jí)的精密電阻(±1%),誤差率較低、匹配度較高,可大幅提升電路穩(wěn)定性及耐用度。此外,為避免惡劣環(huán)境導(dǎo)致的訊號(hào)傳輸不穩(wěn)定的問(wèn)題,DDR4寬溫內(nèi)存PCB 加強(qiáng)鍍金厚度達(dá)30μ的金手指設(shè)計(jì)。
Underfill強(qiáng)固技術(shù) 提高產(chǎn)品可靠度
Underfill底部填充技術(shù)運(yùn)用于內(nèi)存BGA 芯片底部,目的在強(qiáng)化產(chǎn)品抗震/抗熱沖擊能力。在面對(duì)高低溫差較大的情況時(shí)下,硅材料做成芯片與一般基板(PCB)材質(zhì)的熱膨脹系數(shù)不同,因此在熱循環(huán)的溫度沖擊試驗(yàn)(Thermal Shock Test)中常會(huì)有相對(duì)位移產(chǎn)生,造成焊點(diǎn)脫落或斷裂,Underfill底部填充技術(shù)可有效提高錫球與電路板間焊點(diǎn)強(qiáng)度、降低熱應(yīng)力破壞、增加產(chǎn)品可靠度,進(jìn)而提高產(chǎn)品使用壽命。
宇瞻科技推出全新工業(yè)用寬溫DDR4 SODIMM內(nèi)存,容量最大可達(dá)16GB,頻率支持2133/2400MHz,搭載高質(zhì)量DDR4寬溫顆粒及工規(guī)等級(jí)組件,采用Underfill技術(shù),能適應(yīng)兩極化的工作溫度,為系統(tǒng)帶來(lái)無(wú)懈可擊的耐用度。通過(guò)以極端冷熱溫度交替方式進(jìn)行的溫度沖擊試驗(yàn)(Thermal Shock Test),可于-40°C低溫到85°C高溫測(cè)試的溫度范圍內(nèi)運(yùn)作,適用于軍事、車載、戶外、強(qiáng)固型計(jì)算機(jī)等工業(yè)用設(shè)備解決方案。
宇瞻科技DDR4 Wide Temperature系列內(nèi)存規(guī)格:
Module Type | DDR4 Wide Temperature SODIMM |
Frequency | 2400MHz /2133MHz |
Capacity | 8GB-16GB |
Voltage | 1.2v |
Pin count | 260-Pin |
Width | 64-Bit |
PCB Height | 1.181” |
Operation Temp. | TC=-40℃ to 85℃ |
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