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擴大 “X系列HVIGBT模塊” 產品陣容

擴大 “X系列HVIGBT模塊” 產品陣容

——— 新增8個產品,為逆變器的大容量、小型化做貢獻

    三菱電機株式會社將自9月起陸續(xù)發(fā)售 “X系列HVIGBT※1模塊”8個產品(包含電壓等級3.3kV、4.5kV、和6.5kV)。此次發(fā)售的產品是功率半導體模塊的新產品,主要用于需要高耐壓、大電流、高可靠性的鐵路牽引、電力傳輸、大型工業(yè)設備等領域。本產品將在“TECHNO-FRONTIER 2017 -MOTORTECH JAPAN-”(4月19-21日本幕張舉行)“PCIM※1 Europe 2017”(5月16-18日于德國紐倫堡舉行)以及“PCIM※1 Asia 2017”(6月27-29日于中國上海舉行)上展出。


X系列HVIGBT模塊


※1 High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor:高壓絕緣柵型雙極晶體管


新產品的特點


1.實現(xiàn)行業(yè)頂級水平的額定電流,為逆變器的大容量化做貢獻


•在“X系列”中增加3.3kV級(1200A/1800A)、4.5kV級(900A/1350A/1500A)、6.5kV級(600A/900A)共計8個產品

•3.3kV、4.5kV級實現(xiàn)了行業(yè)頂級水平※2的額定電流1800A、1500A,可實現(xiàn)更大容量的逆變器

※2 截至2017年4月5日,根據本公司的調查


2.應用第7代IGBT和RFC二極管,為逆變器的小型化做貢獻


?采用三菱CSTBTTM※3結構的第7代IGBT和RFC二極管※4 硅片技術,與以往產品相比※5,功率損耗降低

約20%

•與具有相同耐壓和額定電流的以往產品※5相比,外形尺寸大約縮小33%,可為逆變器的小型化做貢獻

•全系列產品實現(xiàn)了150℃的工作保證溫度,因此可以簡化逆變器冷卻系統(tǒng)設計,有利于逆變器的小型化

※3 載流子存儲式溝槽柵型雙極晶體管

※4 Relaxed Field of Cathode:本公司獨有二極管,提高了陰極側電子遷移率

※5 X系列CM1200HC-66X與H系列CM1200HC-66H的比較


3.通過優(yōu)化封裝結構,為提高逆變器的可靠性做貢獻


•通過優(yōu)化封裝內部結構,提高散熱性、耐濕性、阻燃性,延長產品壽命


發(fā)售概要



銷售目標


    三菱電機的“HVIGBT”模塊自1997年實現(xiàn)產品化以來,以其優(yōu)異的性能和高可靠性獲得好評,被廣泛應用于鐵路車輛牽引系統(tǒng)、直流輸電設備以及大型工業(yè)設備等。

近年來,由于人們環(huán)保意識提高,對逆變器的大容量化、高效率化以及高可靠性要求越來越高。


   本公司為滿足這些需求,自2015年11月開始發(fā)售“X系列HVIGBT模塊”的6.5kV/1000A產品,該產品通過采用第7代IGBT和RFC二極管,降低功率損耗,實現(xiàn)了大容量化。


   此次,本公司在“X系列HVIGBT模塊”產品陣容中增加8個產品,為逆變器的大容量、小型化做出貢獻。


主要規(guī)格



以往產品封裝尺寸比較


  

  

  


商標

CSTBT是三菱電機株式會社的注冊商標。


制作工廠

三菱電機株式會社 功率器件制作所

〒819-0192 福岡縣福岡市西區(qū)今宿東一丁目1番1號


銷售公司

三菱電機機電(上海)有限公司

上海市長寧區(qū)興義路8號上海萬都中心29樓

郵編: 200336

TEL +86-21-5208-2030 FAX +86-21-5208-1502


三菱電機(香港)有限公司

香港太古城英皇道1111號太古城中心一座20樓

TEL +852-2210-0555 FAX +852-2510-9803


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