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直擊封測年會,格創(chuàng)東智分享先進封裝CIM國產方案

直擊封測年會,格創(chuàng)東智分享先進封裝CIM國產方案

近日,作為集成電路產業(yè)發(fā)展風向標的第二十二屆中國半導體封測技術與市場年會-第六屆無錫太湖創(chuàng)芯論壇,在江蘇無錫順利召開,會議圍爐共話先進封裝技術、工藝、設備、關鍵材料、創(chuàng)新與投資等熱點話題,為觀眾帶來一次思想盛宴。9月25日下午,格創(chuàng)東智半導體事業(yè)部封測行業(yè)專家楊帆受邀出席先進封裝和測試技術專題論壇,并發(fā)表《國產CIM助力先進封裝迎接挑戰(zhàn)與機遇》主旨演講,為行業(yè)貢獻先進封裝CIM國產方案。


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業(yè)內周知,半導體芯片成品會經過“前道”晶圓制造和“后道”封測兩大工序。近年來,在AI、HPC等需求驅動下,先進封裝應運而生,通過高密度封裝,滿足引腳數(shù)量較多、芯片系統(tǒng)較小和高集成化的芯片封測需求,既大幅提升芯片性能,又大幅降低晶圓制造的門檻與成本。與傳統(tǒng)的后道封裝測試工藝不同,先進封裝處于晶圓制造與封測制程中的交叉區(qū)域,形成獨特的“中道”工藝。據預測,到2025年,中國先進封裝市場規(guī)模將達千億級別,市占率也將首次突破50%,超過傳統(tǒng)封裝。
對此,作為深耕泛半導體行業(yè)的工業(yè)智能解決方案提供商,格創(chuàng)東智早已提前布局。為滿足先進封裝“中道工藝”的特殊管理要求,格創(chuàng)東智在后道G-MES1.0、前道G-MES2.0基礎上自主研發(fā)推出G-MES 3.0 :不僅與G-MES 1.0&2.0共用數(shù)據底座(共同的底座可實現(xiàn)不同版本的升級擴展),還在功能上增加大量先進封裝特殊需求。此外,G-MES 3.0在數(shù)據整合、數(shù)據共享方面也有不俗表現(xiàn),可串聯(lián)多邊系統(tǒng),有效整合與共享多元數(shù)據,實現(xiàn)多系統(tǒng)化零為整、客制化功能拓展等。基于以上新技術研發(fā),格創(chuàng)東智可為先進封裝客戶量身打造一整套G-CIM整體解決方案。

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在具體應用上,楊帆進一步介紹道,該解決方案具有靈活的建模方式,支持小批量試產;支持多維度監(jiān)控設備CMK,能夠對設備能力偏差即時告警;通過Smart Bond減少Wafer bond浪費;針對部分先進封裝客戶,采用全流程垂直產業(yè)鏈時遇到的工藝鏈條長、品質改善繁雜的問題,格創(chuàng)東智可提供從產品研發(fā)、量產、品質改善到售后的全流程品質管理體系建設服務。

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翻看格創(chuàng)東智過往半導體領域服務成績單,已成功幫助數(shù)十個半導體客戶完成軟硬件項目交付,做到0延期,0爛尾,交付成功率100% 。這一能力的底氣來自公司雄厚的人才積累和研發(fā)投入。截止目前,格創(chuàng)東智半導體BG已涵蓋國內外多個半導體頭部企業(yè)行業(yè)專家,400+半導體專屬人才隊伍和500+資源池支撐,相關研發(fā)占比50%以上。


未來,格創(chuàng)東智將繼續(xù)專注于半導體領域全產業(yè)鏈工業(yè)智能解決方案研發(fā)創(chuàng)新,對標國際頭部廠商,持續(xù)完善產品體系,加速場景智能,站上半導體CIM國產第一梯隊。


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黃莉
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