• 關(guān)鍵詞：Teledyne,DALSA,MEMS,硅通孔
• 摘要：Teledyne DALSA的Via-First TSV可以使用溝槽填充（原位摻雜的多晶硅）作為導(dǎo)體，如果需要更大的通孔，MEMS晶園本身可以作為導(dǎo)電區(qū)，而溝槽用作絕緣。在我們的150毫米和200毫米生產(chǎn)線都可以提供這項(xiàng)工藝。

MEMS應(yīng)用

從手機(jī)的RF芯片，通訊光交叉連接到游戲控制器的陀螺儀，汽車壓力傳感器和用于汽車的慣性傳感器到小型化的醫(yī)療系統(tǒng)用的微流體器件，Teledyne DALSA都已經(jīng)量產(chǎn)，并且為這些創(chuàng)新的MEMS應(yīng)用提高性能的同時(shí)降低尺寸和功耗。聯(lián)系我們，討論MEMS制造的挑戰(zhàn) Contact us today to discuss your MEMS fabrication challenges.

MEMS應(yīng)用： 壓力傳感器　　運(yùn)動(dòng)傳感器　　BioMEMS　　微鏡　　硅通孔　　射頻MEMS

硅通孔連接

>>硅通孔應(yīng)用于3D電路和晶圓級(jí)封裝

使3D微電路成為可能

硅通孔連接TSV是3D集成MEMS的關(guān)鍵技術(shù)之一。他們通常歸類為“Via-First”或“Via-Last”，兩者的主要區(qū)別是Via-First制程是在晶圓鍵合之前，從而能夠承受幾百度的高溫。Via-Last制程在晶園鍵合之后，并且通常需要涉及的溫度必須足夠低，以防止損壞后端CMOS層。

Teledyne DALSA的Via-First TSV可以使用溝槽填充（原位摻雜的多晶硅）作為導(dǎo)體，如果需要更大的通孔，MEMS晶園本身可以作為導(dǎo)電區(qū)，而溝槽用作絕緣。在我們的150毫米和200毫米生產(chǎn)線都可以提供這項(xiàng)工藝。

Teledyne DALSA的Via-Last技術(shù)采用銅通孔，使用Alchimer低溫電化學(xué)填充。該技術(shù)制造出完美填充的僅5微米直徑100微米深的通孔，并通過(guò)銅重分布層和鎳/金UBM連接到外部。只有在我們200mm晶圓的線上可提供這個(gè)制程。

晶圓級(jí)封裝（WLP） 表面貼裝3D 集成電路使用晶圓級(jí)封裝可以極大地降低芯片和封裝尺寸，從而相應(yīng)的降低成本，是為移動(dòng)應(yīng)用的理想選擇。 Teledyne DALSA公司提供先進(jìn)的輸入輸出連接選項(xiàng)，包括μBGA焊墊，或標(biāo)準(zhǔn)焊盤(pán)堆疊芯片和多片封裝設(shè)計(jì)，可為振蕩器，壓力傳感器和圖像傳感器，和非密封射頻濾波器，微流體和硅麥克風(fēng)等應(yīng)用提供封閉型密封。